UT60N03L-TM3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT60N03L-TM3-T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 9.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT60N03L-TM3-T
UT60N03L-TM3-T Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-220TO-251This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switch
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the 1overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher TO-251switchi
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