UT60N03L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT60N03L-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 9.6 nC
Tiempo de subida (tr): 49 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT60N03L-TN3-R
UT60N03L-TN3-R Datasheet (PDF)
ut60n03l-ta3-t ut60n03g-ta3-t ut60n03l-tm3-t ut60n03g-tm3-t ut60n03l-tn3-r ut60n03g-tn3-r ut60n03l-tnd-r ut60n03g-tnd-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1 1 DESCRIPTION TO-220TO-251This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher switch
ut60n03.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT60N03 Power MOSFET 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION This device employs advanced MOSFET technology and features low gate charge while maintaining low on-resistance. Optimized for switching applications, this device improves the 1overall efficiency of DC/DC converters and allows operation to higher TO-251switchi
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
