UT9564L-TN3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT9564L-TN3-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT9564L-TN3-R
UT9564L-TN3-R Datasheet (PDF)
ut9564l-tn3-r ut9564g-tn3-r ut9564g-s08-r.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9564 Power MOSFET -40V, -7.3A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 1TO-252 DESCRIPTION The UTC UT9564 is a P-ch enhancement mode power MOSFETand it uses UTC perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The UTC UT9564 is ideal for applications such as
ut9564.pdf
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