UT9564G-TN3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT9564G-TN3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO252

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UT9564G-TN3-R datasheet

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UT9564G-TN3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT9564 Power MOSFET -40V, -7.3A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 1 TO-252 DESCRIPTION The UTC UT9564 is a P-ch enhancement mode power MOSFET and it uses UTC perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The UTC UT9564 is ideal for applications such as

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UT9564G-TN3-R

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