UTM2054L-AB3-R MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

UTM2054L-AB3-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTM2054L-AB3-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOT89

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UTM2054L-AB3-R datasheet

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utm2054l-ab3-r utm2054g-ab3-r utm2054l-ae3-r utm2054g-ae3-r.pdf pdf_icon

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2054 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 35m @VGS=10V * RDS(ON)= 45m @VGS=4.5V * RDS(ON)= 11

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7.2. Size:822K kexin
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET UTM2054 (KTM2054) 1.70 0.1 Features VDS (V) = 20V ID = 5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 10V) 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 54m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 130m (VGS = 2.5V) 1.Gate Fast switching capability 2.Drain 3.Source Drain Gate Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rat

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