UTM2054G-AE3-R Todos los transistores

 

UTM2054G-AE3-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTM2054G-AE3-R
   Código: M054G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

UTM2054G-AE3-R Datasheet (PDF)

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 utm2054l-ab3-r utm2054g-ab3-r utm2054l-ae3-r utm2054g-ae3-r.pdf pdf_icon

UTM2054G-AE3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2054 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 35m @VGS=10V * RDS(ON)= 45m @VGS=4.5V * RDS(ON)= 11

 7.1. Size:161K  utc
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UTM2054G-AE3-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM2054 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM2054 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)= 35m @VGS=10V * RDS(ON)= 45m @VGS=4.5V * RDS(ON)= 11

 7.2. Size:822K  kexin
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UTM2054G-AE3-R

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETUTM2054 (KTM2054)1.70 0.1 Features VDS (V) = 20V ID = 5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 10V)0.42 0.10.46 0.1 RDS(ON) 54m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 130m (VGS = 2.5V)1.Gate Fast switching capability2.Drain3.SourceDrainGateSource Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rat

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR

 

 
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