UTM4052G-TN4-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UTM4052G-TN4-R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTM4052G-TN4-R
UTM4052G-TN4-R Datasheet (PDF)
utm4052l-s08-r utm4052g-s08-r utm4052l-tn4-r utm4052g-tn4-r utm4052l-tn4-t utm4052g-tn4-t.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4052 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) FEATURES SOP-8* N-Channel: 40V/7.5A RDS(ON) = 30 m (typ.) @VGS =10V RDS(ON) = 46 m(typ.) @ VGS= 5V * P-Channel: -40V/-6A RDS(ON) = 45 m(typ.) @ VGS= -10V 1RDS(ON) = 52 m(typ.) @ VGS= -5V * Super High Dense Cell Design TO-252-4* Reliable and Rugged SYMBO
utm4052l.pdf
UTM4052Lwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VGS
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
