UTM4052L-TN4-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTM4052L-TN4-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO252-4

 Búsqueda de reemplazo de UTM4052L-TN4-T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UTM4052L-TN4-T datasheet

 ..1. Size:434K  utc
 utm4052l-s08-r utm4052g-s08-r utm4052l-tn4-r utm4052g-tn4-r utm4052l-tn4-t utm4052g-tn4-t.pdf pdf_icon

UTM4052L-TN4-T

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4052 Power MOSFET DUAL ENHANCEMENT MODE (N-CHANNEL/P-CHANNEL) FEATURES SOP-8 * N-Channel 40V/7.5A RDS(ON) = 30 m (typ.) @VGS =10V RDS(ON) = 46 m (typ.) @ VGS= 5V * P-Channel -40V/-6A RDS(ON) = 45 m (typ.) @ VGS= -10V 1 RDS(ON) = 52 m (typ.) @ VGS= -5V * Super High Dense Cell Design TO-252-4 * Reliable and Rugged SYMBO

 6.1. Size:1606K  cn vbsemi
 utm4052l.pdf pdf_icon

UTM4052L-TN4-T

UTM4052L www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VGS

Otros transistores... UTM2054L-AB3-R, UTM2054G-AB3-R, UTM2054L-AE3-R, UTM2054G-AE3-R, UTM4052L-S08-R, UTM4052G-S08-R, UTM4052L-TN4-R, UTM4052G-TN4-R, IRF540N, UTM4052G-TN4-T, UTM4953L-S08-R, UTM4953G-S08-R, UTM6016L-TA3-T, UTM6016G-TA3-T, UTM6016L-TN3-R, UTM6016G-TN3-R, UTM6016G-S08-R