UTM4953L-S08-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTM4953L-S08-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOP8

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UTM4953L-S08-R datasheet

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UTM4953L-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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UTM4953L-S08-R

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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