UTT30P06G-TQ2-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UTT30P06G-TQ2-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UTT30P06G-TQ2-R

UTT30P06G-TQ2-R Datasheet (PDF)

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT30P06 Power MOSFET -60V, -30A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT30P06 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. The UTC UTT30P06 is suitable for low voltage and high speed

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utt30p06l-ta3-t utt30p06g-ta3-t utt30p06l-tf3-t utt30p06g-tf3-t utt30p06l-tm3-t utt30p06g-tm3-t.pdf

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTT30P06 Preliminary Power MOSFET 60V, 30A P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UTT30P06 is a P-channel power MOSFET using UTCs advanced technology to provide the customers with high switching speed and a minimum on-state resistance. It can also withstand high energy in the avalanche. The UTC UTT30P06 is suitable for low voltage and hi

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