2P308A9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P308A9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.08 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de 2P308A9 MOSFET
2P308A9 Datasheet (PDF)
Otros transistores... UTT30P06G-TN3-R , UTT4850L-S08-R , UTT4850G-S08-R , UTT6NP10L-TN4-R , UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , IRFP450 , 2P308B9 , 2P308G9 , 2P308D9 , 2P601A9 , 2P7154AC , 2P7154BC , 2P7154VC , 2P802A .
History: IRFU1205PBF | GSM3413 | IPB011N04LG
History: IRFU1205PBF | GSM3413 | IPB011N04LG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139