2P308A9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P308A9
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.08 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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2P308A9 Datasheet (PDF)
Otros transistores... UTT30P06G-TN3-R , UTT4850L-S08-R , UTT4850G-S08-R , UTT6NP10L-TN4-R , UTT6NP10G-TN4-R , UTT6NP10L-S08-R , UTT6NP10G-S08-R , 2P302A , AON6380 , 2P308B9 , 2P308G9 , 2P308D9 , 2P601A9 , 2P7154AC , 2P7154BC , 2P7154VC , 2P802A .
History: 2SK2232 | SSF3N80D | AFN3404S23RG | CM12N65A | IRFIZ14G | FCH067N65S3 | STT3585
History: 2SK2232 | SSF3N80D | AFN3404S23RG | CM12N65A | IRFIZ14G | FCH067N65S3 | STT3585
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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