2P308A9 Todos los transistores

 

2P308A9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P308A9
   Código: 2П308А9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.2 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2P308A9

 

2P308A9 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:713K  russia
kp308 2p308.pdf

2P308A9

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N7281

 

 
Back to Top

 


History: 2N7281

2P308A9
  2P308A9
  2P308A9
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top