2P819A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P819A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-82
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2P819A Datasheet (PDF)
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History: CRTD105N06L | WMM020N10HGS | NCEAP01ND35AG | FCPF165N65S3R0L | APT50M65JLL | SRADM1003
History: CRTD105N06L | WMM020N10HGS | NCEAP01ND35AG | FCPF165N65S3R0L | APT50M65JLL | SRADM1003



Liste
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