2P821B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2P821B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: КТ-83
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2P821B Datasheet (PDF)
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History: IRFM5210 | RQ3E100MN | RS1E170GN | FDB7030LL86Z | RS1E150GN | FIR40N15LG | FDB8132
History: IRFM5210 | RQ3E100MN | RS1E170GN | FDB7030LL86Z | RS1E150GN | FIR40N15LG | FDB8132
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