2P829J9 Todos los transistores

 

2P829J9 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2P829J9
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: КТ-95-1
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2P829J9 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  russia
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2P829J9

U = 30 28299Ic = 80 R = 0,03

 8.1. Size:162K  russia
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2P829J9

U = 30 2829Ic = 80 R = 0,03 . - 2 -43-1.

 9.1. Size:154K  russia
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2P829J9

U = 200 28299Ic = 40 R = 0,05 -95-1

 9.2. Size:170K  russia
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2P829J9

U = 60 28299Ic = 60 R = 0,005 -95-1

Otros transistores... 2P829V9 , 2P829G , 2P829G9 , 2P829D , 2P829D9 , 2P829E , 2P829E9 , 2P829J , RU6888R , 2P829I9 , 2P903A , 2P903B , 2P903V , 2P922A , 2P977A , 2P978A , 2P978B .

History: 2SK2596 | APQ0DSN60AJ | TT8K11 | NP82N055NHE | BSO200P03S

 

 
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