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2P986B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2P986B

Código: 2П986Б

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 16 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 40 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10.6 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: КТ-55С-1

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2P986B Datasheet (PDF)

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