2P986EC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2P986EC

Código: 2П986ЕС

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 160 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 89 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm

Paquete / Cubierta: КТ-103А-1

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2P986EC Datasheet (PDF)

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