2P998A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2P998A

Código: 2П998А

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Paquete / Cubierta: КТ-55С-1

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2998 n- , LDMOS

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