KP767A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP767A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de KP767A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KP767A datasheet

 ..1. Size:105K  russia
kp767a kp767b kp767v.pdf pdf_icon

KP767A

N- 767 , , o o

Otros transistores... 2P986D, 2P986EC, 2P998A, 2P998BC, J112G, J112RLRAG, J300, KP7178A, IRF640N, KP767B, KP767V, KP777B, KP778B, KP778V, KP801B, KP809A, KP809A1