KP809D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KP809D
Código: КП809Д
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 800 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 405 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.8 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KP809D
KP809D Datasheet (PDF)
..1. kp809a kp809b kp809v kp809g kp809d kp809e kp809a1 kp809b1 kp809v1 kp809g1 kp809d1 kp809e1 kp809b1-5 kp809b2-5.pdf 
Size:330K _russia
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4435 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
