HM1N60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM1N60R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1N60R

HM1N60R Datasheet (PDF)

..1. Size:741K cn hmsemi
hm1n60r.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N60RGeneral Description VDSS 600 VHM1N60R, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit fo

8.1. Size:727K cn hmsemi
hm1n60.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS Package 0.5 A TO-92 ID 1.0 A IPAK/DPKAVDSS 600 V RdsonVgs=10V 15 Qg 6.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballastsbased on half bridge FEATU

8.2. Size:1252K cn hmsemi
hm1n60pr.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N60 General Description VDSS 600 VHM1N60PR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circu

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: