HM2333 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM2333
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM2333

HM2333 Datasheet (PDF)

..1. Size:436K cn hmsemi
hm2333.pdf

HM2333 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2333 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = -12V,ID = -6A RDS(ON)

9.1. Size:84K chenmko
chm2331gp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2331GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat

9.2. Size:103K chenmko
chm2331qgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2331QGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-74/SOT-457FEATURE* Small flat package. (SC-74/SOT-457)* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (1) (6)

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Liste

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