STS2621 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS2621  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT26

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STS2621 datasheet

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STS2621

S TS 2621 S amHop Microelectronics C orp. J un.6 2005 Dual P-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) MAX R ugged and reliable. 130 @ VG S = -4.5V -20V -2A S OT-26 Package. 190 @ VG S = -2.5V D1 D2 TS OP6 Top View G1 D1 6 1 S 1 2 5 S 2 G1 G2 3 4 G2 D2

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STS2621

STS2620A a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.2 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID 50 @ VGS=4.5V 106 @ VGS=-4.5V 20V 2.5A -20V -2A 76 @ VGS=2.5V 198 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 S1 2 5 3 4 G2 D2 S 1 S 2

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STS2621

G P P STS2620 a S mHop Microelectronics C orp. Ver1.2 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel ) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (m ) Max RDS(ON) (m ) Max VDSS ID 53 @ VGS=4.5V 103 @ VGS=-4.5V 20V 2.5A -20V -2A 78 @ VGS=2.5V 190 @ VGS=-2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S1 S2 2 5 3 4 G2 D2 S

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STS2621

Green Product STS2622A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 60 @ VGS=4.5V Suface Mount Package. 20V 3.4A 90 @ VGS=2.5V D1 D2 SOT 26 Top View G1 D1 6 1 G 1 G 2 S2 2 5 S1 3 4 G2 D2 S 1 S 2

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