HM3018 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HM3018 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3018

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM3018 datasheet

..1. Size:1205K cn hmsemi
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0.1. Size:1239K cn hmsemi
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J HM3018JR SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS HM3018JR N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8 @4V 30V 100mA 13 @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circuits can be simple Paral

0.2. Size:412K cn hmsemi
hm3018kr.pdf pdf_icon

HM3018KR Silicon N-channel MOSFET 100 mA, 30 V Features 3 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 1 3) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment. 2 4) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. SC-70 ESD>500V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and O

0.3. Size:1303K cn hmsemi
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J HM3018SR SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS HM3018SR N-channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 8 @4V 30V 100mA 13 @2.5V 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Low on-resistance Interfacing , Switching Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Ea

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