SRC60R078BS2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SRC60R078BS2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 291 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 42 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 5 V

Carga de compuerta (Qg): 90.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 38 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 136 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.078 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SRC60R078BS2

SRC60R078BS2 Datasheet (PDF)

4.1. src60r078b.pdf Size:1038K _1

Datasheet 78m, 600V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC60R078B General Description Symbol The Sanrise SRC60R078B is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power

7.1. src60r090b.pdf Size:643K _1

Datasheet 90m, 600V, Super Junction N-Channel Power MOSFET SRC60R090B General Description Symbol The Sanrise SRC60R090B is a high voltage power MOSFET, fabricated using advanced super junction technology. The resulting device has extremely low on resistance, low gate charge and fast switching time, making it especially suitable for applications which require superior power

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Liste

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