SUP75N06-08 Todos los transistores

 

SUP75N06-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUP75N06-08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SUP75N06-08

 

SUP75N06-08 Datasheet (PDF)

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SUP/SUB75N06-08N-Channel Enhancement-Mode TransistorsProduct SummaryV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08Absolute Maximum Ratings (TC = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75aContinuous

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SUP/SUB75N06-08Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.008 75aDTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-08Top ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-08ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitGate-Source Voltage VGS "20 VTC = 25_C 75

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SUP/SUB75N06-07LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Rated Maximum Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V RoHS*6075a0.0085 at VGS = 4.5 V COMPLIANTTO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D STop ViewG D SSUB75N06-07LTop ViewSSUP75N06-07LN-Channel MOSFET

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SUP/SUB75N06-07LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Rated Maximum Junction TemperatureV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V RoHS*6075a0.0085 at VGS = 4.5 V COMPLIANTTO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D STop ViewG D SSUB75N06-07LTop ViewSSUP75N06-07LN-Channel MOSFET

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SUP/SUB75N06-12LVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.012 @ VGS = 10 V 7560600.014 @ VGS = 4.5 V 70DTO-220ABTO-263GDRAIN connected to TABG D STop ViewG D SSSUB75N06-12LTop ViewN-Channel MOSFETSUP75N06-12LABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Unit

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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