HM4840 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
Encapsulados: SOP8
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HM4840 datasheet
hm4840.pdf
HM4840 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS =40V,ID =7.0A RDS(ON)
hm4843.pdf
HM4843 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The HM4843 uses advanced trench technology to G1 G2 provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch and battery protection applications. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = -40V,ID = -5.0A RDS(ON)
Otros transistores... HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , HM4830 , AON7403 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 , HM4885A .
History: HM2302BWSR
History: HM2302BWSR
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Liste
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