HM4840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 41 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4840
HM4840 Datasheet (PDF)
hm4840.pdf
HM4840Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS =40V,ID =7.0A RDS(ON)
hm4843.pdf
HM4843Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description The HM4843 uses advanced trench technology to G1 G2provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch and battery protection applications. S1 S2Schematic diagram General Features VDS = -40V,ID = -5.0A RDS(ON)
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
