HMS17N65 Todos los transistores

 

HMS17N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS17N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

HMS17N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1308K  cn hmsemi
 hms17n65 hms17n65f hms17n65d.pdf pdf_icon

HMS17N65

HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 650 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) MAX 210 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 1 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC powerconversion, and industrial power app

 9.1. Size:620K  cn hmsemi
 hms170n03d.pdf pdf_icon

HMS17N65

HMS170N03DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS170N03D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

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History: HRLP370N10K | MTN50N06E3 | CPC3730 | MDP10N027TH | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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