HMS85N95D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS85N95D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HMS85N95D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HMS85N95D datasheet

 ..1. Size:508K  cn hmsemi
 hms85n95 hms85n95d.pdf pdf_icon

HMS85N95D

HMS85N95, HMS85N95D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high frequency VDS =85V,ID =95A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=5.4m , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremel

 8.1. Size:449K  cn hmsemi
 hms85n03ed.pdf pdf_icon

HMS85N95D

HMS85N03ED N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS85N03ED uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

Otros transistores... HMS80N10, HMS80N10AL, HMS80N10D, HMS80N10KA, HMS80N85, HMS80N85D, HMS85N03ED, HMS85N95, IRF9540, HMS8N50I, HMS8N50K, HMS8N60, HMS8N60D, HMS8N60F, HMS8N60I, HMS8N60K, HMS8N65