VS3620DE-G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3620DE-G  📄📄 

Código: 3620DE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VS3620DE-G datasheet

 ..1. Size:1036K  cn vgsemi
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VS3620DE-G

VS3620DE-G 30V/18A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 37 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 18 A 100% Avalanche Tested PDFN3333 Dual Part ID Package Type Marking Packing VS3620DE-G PDFN3333 Dual 36

 7.1. Size:983K  cn vgsemi
vs3620dp-g.pdf pdf_icon

VS3620DE-G

VS3620DP-G 30V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.9 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.3 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 56 A Very low on-resistance I D(Package Limited) 36 A VitoMOS Technology PDFN5x6 Dual Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Par

 7.2. Size:1033K  cn vgsemi
vs3620dp2-g.pdf pdf_icon

VS3620DE-G

VS3620DP2-G 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 4.6 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.6 7.6 m Very low on-resistance I D(Wire bond Limited) 45 45 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Dual Opt2 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimiz

 8.1. Size:2373K  cn vanguard
vs3620gpmc.pdf pdf_icon

VS3620DE-G

VS3620GPMC 30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche test PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

Otros transistores... GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH, HCCW120R080H1, HCCZ120R080H1, AO3407, VS3620DP-G, VS3622DP, VS3622DP2, VS3622DP3, VS3622DS, VS3628DE-G, VS3638DE-G, VS3640DB