VS3640DB Todos los transistores

 

VS3640DB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3640DB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

 Búsqueda de reemplazo de VS3640DB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3640DB datasheet

 ..1. Size:1011K  cn vgsemi
vs3640db.pdf pdf_icon

VS3640DB

VS3640DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m High Current Capability I D 25 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate Charge DFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3640DB DFN3x3 3640DB 5000pcs/Reel

 7.1. Size:493K  cn vanguard
vs3640ds.pdf pdf_icon

VS3640DB

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS

 7.2. Size:1034K  cn vgsemi
vs3640de.pdf pdf_icon

VS3640DB

VS3640DE 30V/24A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 24 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Pa

 7.3. Size:1050K  cn vgsemi
vs3640ds.pdf pdf_icon

VS3640DB

VS3640DS 30V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement mode I D 9 A Fast Switching High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen-Free Part ID Package Type Marking Packing VS3640DS SOP8 3640DS 3000pcs/reel Maxim

Otros transistores... VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , VS3638DE-G , 8N60 , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G , VS4640DE .

History: WMJ69N30DMH

 

 

 


History: WMJ69N30DMH

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

Popular searches

2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855

 

 

↑ Back to Top
.