JFPC7N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFPC7N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 167 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 102 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JFPC7N90C
JFPC7N90C Datasheet (PDF)
jfpc7n90c jffm7n90c.pdf
JFPC7N90C JFFM7N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU
jfpc7n65c jffc7n65c.pdf
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jfpc7n60c jffm7n60c.pdf
JFPC7N60C JFFM7N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 600V, RDS(on)typ. = 1.2@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a
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