JFPC7N90C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFPC7N90C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm

Encapsulados: TO220

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JFPC7N90C datasheet

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JFPC7N90C

JFPC7N90C JFFM7N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

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JFPC7N90C

JFPC7N65C JFFC7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 650V, RDS(on)typ. = 1.3 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

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JFPC7N90C

JFPC7N60C JFFM7N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 600V, RDS(on)typ. = 1.2 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

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