STM8601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STM8601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.7 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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STM8601 Datasheet (PDF)

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stm8601.pdf

STM8601aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)VDSS ID RDS(ON) (m) Max VDSS ID RDS(ON) (m) Max58 @ VGS=10V 105 @ VGS=-10V60V 4.5A -60V -3.3A75 @ VGS=4.5V 150 @ VGS=-4.5V5 4 G 2D2D2 6 3S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless other

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: