VS2622AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS2622AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO252

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VS2622AD datasheet

 ..1. Size:978K  cn vgsemi
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VS2622AD

VS2622AD 20V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 8.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 60 A Fast Switching and High efficiency TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS2622AD TO-252 2622AD 2500pc

 7.1. Size:693K  cn vanguard
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VS2622AD

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel 2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma

 7.2. Size:1024K  cn vgsemi
 vs2622al.pdf pdf_icon

VS2622AD

VS2622AL 20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 8 A Fast Switching and High efficiency SOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type

 7.3. Size:964K  cn vgsemi
 vs2622aa.pdf pdf_icon

VS2622AD

VS2622AA 20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement mode I D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast Switching DFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2

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