VS3605ABT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3605ABT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 145 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: TDFN3333

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VS3605ABT datasheet

 ..1. Size:1190K  cn vgsemi
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VS3605ABT

VS3605ABT 30V/145A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.2 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Silicon Limited) 145 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested TDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3605ABT TDFN3333 3605AB 5000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C

 9.1. Size:1048K  cn vgsemi
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VS3605ABT

VS3604DT 30V/300A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.6 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 300 A Ultra-Low Gate Impedance TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3604DT TO-

 9.2. Size:875K  cn vgsemi
vs3602gpmt.pdf pdf_icon

VS3605ABT

VS3602GPMT 30V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 0.9 m Ultra low on-resistance I D(Silicon Limited) 440 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 200 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche tested, 100% Rg tested Part ID Package Type Marki

 9.3. Size:1026K  cn vgsemi
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VS3605ABT

VS3606AD 30V/110A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.6 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Enhancement mode I D 110 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3

Otros transistores... VS2622AD, VS2622AL, VS3510DS, VS3602GPMT, VS3603GPMT, VS3604AT, VS3604DM, VS3604DT, IRF1407, VS3606AD, VS3606AE, VS3606AP, VS3606AT, VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP