VS3610AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3610AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS3610AP datasheet

 ..1. Size:1020K  cn vgsemi
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VS3610AP

VS3610AP 30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.4 m Enhancement mode I D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS36

 7.1. Size:1009K  cn vanguard
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VS3610AP

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 7.2. Size:983K  cn vgsemi
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VS3610AP

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS361

 7.3. Size:945K  cn vgsemi
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VS3610AP

VS3610AD 30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3610A

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