VS3614GE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3614GE
   Código: 3614GE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 23 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 505 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3614GE

VS3614GE Datasheet (PDF)

..1. Size:784K cn vgsemi
vs3614ge.pdf

VS3614GE30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/ReelMa

7.1. Size:897K cn vgsemi
vs3614gp.pdf

VS3614GP30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packin

8.1. Size:1043K cn vgsemi
vs3614ae.pdf

VS3614AE30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 58 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614AE PDFN3333 3614AE

8.2. Size:1012K cn vgsemi
vs3614ad.pdf

VS3614AD30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 75 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3614ADTO-252 3614AD 2500pcs/

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: