VS3614GE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3614GE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 505 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

 Búsqueda de reemplazo de VS3614GE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3614GE datasheet

 ..1. Size:784K  cn vgsemi
vs3614ge.pdf pdf_icon

VS3614GE

VS3614GE 30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.8 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 31 A VitoMOS Technolog 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3614GE PDFN3333 3614GE 5000PCS/Reel Ma

 7.1. Size:897K  cn vgsemi
vs3614gp.pdf pdf_icon

VS3614GE

VS3614GP 30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.2 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 60 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 31 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packin

 8.1. Size:1043K  cn vgsemi
vs3614ae.pdf pdf_icon

VS3614GE

VS3614AE 30V/58A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 58 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3614AE PDFN3333 3614AE

 8.2. Size:1012K  cn vgsemi
vs3614ad.pdf pdf_icon

VS3614GE

VS3614AD 30V/75A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 75 A Fast Switching and High efficiency TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3614AD TO-252 3614AD 2500pcs/

Otros transistores... VS3606ATD, VS3610AD, VS3610AI, VS3610AP, VS3610GPMT, VS3612GP, VS3614AD, VS3614AE, 2N60, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH, VS3618AP, VS3618AS, VS3620DP2-G