VS3622AS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3622AS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de VS3622AS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3622AS datasheet

 ..1. Size:1001K  cn vgsemi
vs3622as.pdf pdf_icon

VS3622AS

VS3622AS 30V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 15 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3622AS SOP8 3622AS 3000PCS/Reel

 7.1. Size:627K  cn vanguard
vs3622ae.pdf pdf_icon

VS3622AS

VS3622AE 30V/45A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.9 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 45 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package

 7.2. Size:1105K  cn vgsemi
vs3622aa4.pdf pdf_icon

VS3622AS

VS3622AA4 30V/9.2A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 9.2 A Fast Switching and High efficiency DFN2x2x0.5-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3622AA4 DFN2x2x0.5-6L 3622AA 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specif

 7.3. Size:966K  cn vgsemi
vs3622aa.pdf pdf_icon

VS3622AS

VS3622AA 30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.8 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement mode I D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching DFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3622AA DFN2x2x0.75-6L 3622

Otros transistores... VS3620DP2-G, VS3620GA, VS3620GEMC, VS3622AA, VS3622AA2, VS3622AA4, VS3622AD, VS3622AP, K2611, VS3622DB, VS3625DB, VS3625DP2-G, VS3625GEMC, VS3625GPMC, VS3628DB, VS3628GA, VS3628GE