VS3625DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3625DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3625DB

VS3625DB Datasheet (PDF)

..1. Size:1043K cn vgsemi
vs3625db.pdf

VS3625DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 4.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3625DB DFN3x3 3625DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T

7.1. Size:1216K cn vgsemi
vs3625dp2-g.pdf

VS3625DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 1.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 2.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 50 100 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 60 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2Part ID Package Type M

8.1. Size:842K cn vgsemi
vs3625gemc.pdf

VS3625GEMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3625GEMC PDFN3333 3

8.2. Size:971K cn vgsemi
vs3625gpmc.pdf

VS3625GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 42 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3625GPMC PDFN5x6 3625GP 3000pcs/Reel

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Liste

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