VS3625DP2-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS3625DP2-G
Código: 3625DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 24 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 48 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 515 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3625DP2-G
VS3625DP2-G Datasheet (PDF)
vs3625dp2-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3625DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 1.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.4 2.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 50 100 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 45 60 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2Part ID Package Type M
vs3625db.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3625DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 4.5 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 7 m VitoMOS TechnologyI D(Wire bond Limited) 24 36 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedDFN3x3Part ID Package Type Marking PackingVS3625DB DFN3x3 3625DB 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T
vs3625gemc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3625GEMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3625GEMC PDFN3333 3
vs3625gpmc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VS3625GPMC30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 42 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 30 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3625GPMC PDFN5x6 3625GP 3000pcs/Reel
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: TPHR9003NL