VS3628DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3628DB
   Código: 3628DB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3628DB

VS3628DB Datasheet (PDF)

..1. Size:1353K cn vgsemi
vs3628db.pdf

VS3628DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 9 m High Current CapabilityI D 20 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate ChargeDFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3628DB DFN3x3 3

7.1. Size:1215K cn vgsemi
vs3628de-g.pdf

VS3628DE-G30V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 10 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 14 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 38 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 14 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Pac

8.1. Size:1117K cn vgsemi
vs3628gp.pdf

VS3628GP30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 26 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3628GP PDFN5x6 3628GP 30

8.2. Size:839K cn vgsemi
vs3628ge.pdf

VS3628GE30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 45 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3628GE PDFN3333 3628G

8.3. Size:1116K cn vgsemi
vs3628ga.pdf

VS3628GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.4 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3628GA DFN2x2x0.75-6L 3628 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: