VS3628GP Todos los transistores

 

VS3628GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3628GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VS3628GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1117K  cn vgsemi
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VS3628GP

VS3628GP30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 26 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3628GP PDFN5x6 3628GP 30

 7.1. Size:839K  cn vgsemi
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VS3628GP

VS3628GE30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 45 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3628GE PDFN3333 3628G

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VS3628GP

VS3628GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.4 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3628GA DFN2x2x0.75-6L 3628 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

 8.1. Size:1353K  cn vgsemi
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VS3628GP

VS3628DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 9 m High Current CapabilityI D 20 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate ChargeDFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3628DB DFN3x3 3

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History: STF10NM60N | HCU7NE70S | UTM2054L-AB3-R

 

 
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