VS3633GA Todos los transistores

 

VS3633GA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3633GA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75-6L
 

 Búsqueda de reemplazo de VS3633GA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS3633GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  cn vgsemi
 vs3633ga.pdf pdf_icon

VS3633GA

VS3633GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 16 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3633GA DFN2x2x0.75-6L 3633 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

 7.1. Size:836K  cn vgsemi
 vs3633ge.pdf pdf_icon

VS3633GA

VS3633GE30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 32 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3633GE PDFN3333 3633G

 9.1. Size:1065K  cn vgsemi
 vs3638de-g.pdf pdf_icon

VS3633GA

VS3638DE-G30V/15A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 12 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 27 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 15 A Fast Switching and High efficiencyPDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Pac

 9.2. Size:1664K  cn vgsemi
 vs3638ge.pdf pdf_icon

VS3633GA

VS3638GE30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 40 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3638GE PDFN3333 3638GE

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS3625DB , VS3625DP2-G , VS3625GEMC , VS3625GPMC , VS3628DB , VS3628GA , VS3628GE , VS3628GP , IRFZ44N , VS3633GE , VS3638GA , VS3638GE , VS3640AA , VS3640AC , VS3640AD , VS3640AE , VS3640AS .

History: CHM25N15LPAGP | 14N50G-TQ2-T | AP80T10GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.