VS3640AA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3640AA
   Código: 3640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2X0.75-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3640AA

VS3640AA Datasheet (PDF)

..1. Size:959K cn vgsemi
vs3640aa.pdf

VS3640AA30V/10A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Fast Switching and High efficiencyI D 10 A Pb-free lead plating; RoHS compliantDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3640AA DFN2x2x0.75-6L 3640 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise s

7.1. Size:989K cn vgsemi
vs3640ad.pdf

VS3640AD30V/28A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 24 m Enhancement modeI D 28 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type Markinginfor

7.2. Size:1209K cn vgsemi
vs3640ac.pdf

VS3640AC30V/6A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 19 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 27 m Enhancement modeI D 6 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingSOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3640AC SOT23 VS03 3000pcs/reelMaximu

7.3. Size:1069K cn vgsemi
vs3640at.pdf

VS3640AT30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 30 A Fast SwitchingTO-220AB High conversion efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3640AT TO-220AB 3640AT 50pcs/TubeM

7.4. Size:1020K cn vgsemi
vs3640ae.pdf

VS3640AE30V/25A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 13.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 23 m Fast Switching and High efficiencyI D(Silicon Limited) 25 A 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3640AE PDFN3333 3640AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, unless otherwise specified

7.5. Size:1004K cn vgsemi
vs3640as.pdf

VS3640AS30V/11A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement modeI D 11 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testSOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3640AS SOP8 3640AS 3000PCS/Reel

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: