VS40200AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS40200AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 165 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 565 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de VS40200AD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS40200AD datasheet

 ..1. Size:933K  cn vgsemi
 vs40200ad.pdf pdf_icon

VS40200AD

VS40200AD 40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.6 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 165 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 80 A 100% Avalanche Tested TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS40200AD TO-252 40200AD 2500pcs/Reel

 6.1. Size:401K  cn vanguard
 vs40200at.pdf pdf_icon

VS40200AD

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

 6.2. Size:1058K  cn vgsemi
 vs40200ap.pdf pdf_icon

VS40200AD

VS40200AP 40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

 6.3. Size:858K  cn vgsemi
 vs40200atd.pdf pdf_icon

VS40200AD

VS40200ATD 40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche test TO-263 Part ID Package Type Marking Packing VS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT, VS3820GA2, VS3825GPMC, IRF630, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, VS4401AMH, VS4401ATH, VS4603DM6, VS4603GPHT, VS4603GPMT