VS40200AP Todos los transistores

 

VS40200AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS40200AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de VS40200AP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS40200AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1058K  cn vgsemi
 vs40200ap.pdf pdf_icon

VS40200AP

VS40200AP40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

 6.1. Size:401K  cn vanguard
 vs40200at.pdf pdf_icon

VS40200AP

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

 6.2. Size:858K  cn vgsemi
 vs40200atd.pdf pdf_icon

VS40200AP

VS40200ATD40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-263Part ID Package Type Marking PackingVS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel

 6.3. Size:933K  cn vgsemi
 vs40200ad.pdf pdf_icon

VS40200AP

VS40200AD40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 165 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS40200AD TO-252 40200AD 2500pcs/Reel

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS3698AP , VS3698AT , VS3803GPMT , VS3817GA , VS3817GPMT , VS3820GA2 , VS3825GPMC , VS40200AD , K3569 , VS40200ATD , VS4401AKH , VS4401AMH , VS4401ATH , VS4603DM6 , VS4603GPHT , VS4603GPMT , VS4604AD .

History: AO4294 | SM1A18NSQG | FHF10N65A | NCE8205I | 2SK1608 | IPB031NE7N3G

 

 
Back to Top

 


 
.