VS4610AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4610AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4610AD

VS4610AD Datasheet (PDF)

..1. Size:945K cn vgsemi
vs4610ad.pdf

VS4610AD40V/65A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610

7.1. Size:988K cn vgsemi
vs4610ap.pdf

VS4610AP40V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Enhancement modeI D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testPDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AP PDFN5x6 4610AP 3

7.2. Size:1020K cn vgsemi
vs4610az.pdf

VS4610AZ40V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencySOT223 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AZ SOT223 46

7.3. Size:992K cn vgsemi
vs4610ae.pdf

VS4610AE40V/55A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 10 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 55 A Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS4610AE PDFN3333 4610AE 5000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C, u

7.4. Size:1065K cn vgsemi
vs4610ab.pdf

VS4610AB40V/53A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m Enhancement modeI D 53 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Fast SwitchingTDFN3.3x3.3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4610AB TDFN3.3x3.3 4610AB 5

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: