STM8401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM8401
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de STM8401 MOSFET
STM8401 Datasheet (PDF)
stm8401.pdf

S T M8401S amHop Microelectronics C orp.May.26, 2004 ver1.1Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PP R ODUC T S UMMAR Y P R ODUC T S UMMAR Y -C hannel)V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max25 @ VG S = 10V 55 @ V G S = -10V -30V -4.5A 7A 30V40 @ V G S = 4.5V 85 @ V G S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O-81
stm8405.pdf

S TM8405S amHop Microelectronics C orp.MAY .04,2006 ver 1.5Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max25 @ VGS =10V 50 @ VGS =-10V-30V -5A30V 7A40 @ VGS =4.5V 70 @ VGS =-4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5SO-811 2 3 4S 1 G 1 S
stm8456.pdf

STM8456aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID33 @ VGS=10V 45 @ VGS=-10V40V 6.2A -40V -5.3A45 @ VGS=4.5V 70 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi
stm8458.pdf

STM8458aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID32 @ VGS=10V 48 @ VGS=-10V40V 6.3A -40V -5.1A42 @ VGS=4.5V 68 @ VGS=-4.5VD2 5 4 G 26 3D2 S 2D1 7 2G 1S O-8D1 8 1S 11(TA=25C unless otherwi
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FQP9N30
History: FQP9N30



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor