VS4618AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS4618AP
   Código: 4618AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 32 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 3.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS4618AP

VS4618AP Datasheet (PDF)

..1. Size:997K cn vgsemi
vs4618ap.pdf

VS4618AP40V/45A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.6 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement modeI D 45 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche testPDFN5x6 Pb-free lead plating; RoHS compliantTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVS461

7.1. Size:587K cn vanguard
vs4618ae.pdf

VS4618AE 40V/43A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement mode I D 43 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package T

7.2. Size:1015K cn vgsemi
vs4618ae.pdf

VS4618AE40V/43A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement modeI D 43 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4618AE P

7.3. Size:1287K cn vgsemi
vs4618ah.pdf

VS4618AH40V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 40 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Enhancement modeI D 8 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingSOT23-6L Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen FreePart ID Package Type Marking PackingVS4618AH SOT23-6L VS12

7.4. Size:1001K cn vgsemi
vs4618as.pdf

VS4618AS40V/14A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 17 m Enhancement modeI D 14 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VSOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS4618AS SOP8 4618AS 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA

7.5. Size:1005K cn vgsemi
vs4618as-ap.pdf

VS4618AS-AP45V/14A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 45 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 14 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantSOP8Part ID Package Type Marking PackingVS4618AS-AP SOP8 4618AS 3000PCS/ReelMaximum ratings, a

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: