VS4646ACM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4646ACM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: SOT23

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VS4646ACM datasheet

 ..1. Size:1082K  cn vgsemi
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VS4646ACM

VS4646ACM 40V/4A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 30 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 40 m I D(Silicon limited) 4 A SOT23 Part ID Package Type Marking Packing VS4646ACM SOT23 VS39 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-source breakdown voltage 40 V

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VS4646ACM

VS4640DE 40V/20A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 40 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 26 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 39 m Enhancement mode I D 20 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Pa

 9.2. Size:1226K  cn vgsemi
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VS4646ACM

VS4640AC 40V/5A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 29 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 44 m Enhancement mode I D 5 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS4640AC SOT23 VS13 3000pcs/reel Maximu

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