VS4698AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4698AP
Código: 4698AP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 245 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
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VS4698AP Datasheet (PDF)
vs4698ap.pdf
VS4698AP40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistanceI D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci
vs4698dp.pdf
VS4698DP40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement modeI D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 DualPart ID Package Type Marking PackingVS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis
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