VS4698AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4698AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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VS4698AP datasheet

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VS4698AP

VS4698AP 40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.1 m Very low on-resistance I D(Wire bond Limited) 33 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS4698AP PDFN5x6 4698AP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise speci

 8.1. Size:886K  cn vgsemi
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VS4698AP

VS4698DP 40V/30A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 6.6 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.9 m Enhancement mode I D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Dual Part ID Package Type Marking Packing VS4698DP PDFN5x6 Dual 4698DP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

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